在当前的硅基芯片制造过程中，光刻法是唯一的量产方法。
什么叫光刻法，既然就是利用光线，照射刻录好的光掩膜板，把上面的电路图，投影到硅晶圆上，类似于投影机的原理一样。
(资料图)
而这个过程中，需要一种最重要的工具，那就是光刻机，而光刻机的分辨率，就决定了芯片工艺。
所以光刻机有DUV光刻机、浸润式光刻机，EUV光刻机等，这些一代又一代的光刻机，提高的关键都是分辨率，也就是投影的精度，而对应的就是芯片工艺，比如EUV光刻机，用于7nm及以下的芯片。
目前全球仅有4家厂商，能够生产制造芯片的前道光刻机，分别是荷兰的ASML、日本的尼康、佳能，中国的上海微电子。
不过大家的水平不一样，ASML>尼康>佳能>上海微电子。
ASML是全球唯一一家能够制造EUV光刻机的厂商，而尼康的最高水平是浸润式光刻机，佳能与上海微电子的水平更差一些。
所以这就奠定了ASML的王者地位，只要谁的芯片工艺想进入7nm，就必须找ASML买EUV光刻机，否则就不行。
所以一直以来，也有众多的厂商，在研究另外的技术，以期不用EUV光刻机，也能制造7nm及以下的芯片。
那么有厂商突破了么？目前还没有，不过应该很快了，我想看到这个消息，ASML应该也是有点慌了。
近日佳能就表示，到2025年，可以基于自己的NIL纳米压印技术，实现5nm芯片的制造，不再需要EUV光刻机了。
NIL纳米压印技术，是什么技术？从名字就可以看出来，类似于印刷的一种技术。
光刻技术是投影原理，而NIL纳米压印，是将电路图刻录到一个专用的“章子”上，然后再将这个“章子”盖到硅晶圆上，在硅晶圆上就有了电路图，最终制造成芯片。
纳米压印的难点，是如何将精细的电路图刻录到章子上，目前佳能已经有成熟的技术，不过精度还不太高，佳能与铠侠合作，应用于部分存储芯片的制造上。
不过据称最近有了突破，所以佳能再吹牛称，到2025年要实现5nm芯片的制造，不再需要EUV光刻机。
那么国内在NIL纳米压印技术上，又表现的如何呢？其实国内也有很多公司在研究这个技术，不过总体而言，比佳能还是落后一些。
从专利来看，在NIL纳米压印技术上，佳能专利拥有913件，差不多接近所有专利的100%，明显是一家独大的。
不过虽然专利不行，国产技术还是有成绩的，比如 天仁微纳，就有类似的技术，只不过目前没有用在逻辑芯片上，更多是用在DOE、AR／VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等领域。
而从精度来看，据说已经在 150／300mm基底面积上实现高精度（优于10nm ），真假未知，但如果是真，还是挺让人兴奋的，希望国产加油吧，如果真的国产NIL纳米压印也实现到5nm，那根本就不怕光刻机卡脖子了。
